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一、晶圓處理制程
晶圓處理制程之主要工作為在矽晶圓上制作電路與電子組件(如晶體管、電容體、邏輯閘等),為上述各制程中所需技術最複雜且資金投入最多的過程 ,以微處理器(Microprocessor)為例,其所需處理步驟可達數百道,而其所需加工機台先進且昂貴,動辄數千萬一台,其所需制造環境為為一溫度、濕度與 含塵量(Particle)均需控制的無塵室(Clean-Room),雖然詳細的處理程序是随着産品種類與所使用的技術有關;不過其基本處理步驟通常是晶圓先經過适 當的清洗(Cleaning)之後,接着進行氧化(Oxidation)及沈積,最後進行微影、蝕刻及離子植入等反複步驟,以完成晶圓上電路的加工與制作。
二、晶圓針測制程
經過Wafer Fab之制程後,晶圓上即形成一格格的小格 ,我們稱之為晶方或是晶粒(Die),在一般情形下,同一片晶圓上皆制作相同的芯片,但是也有可能在同一片晶圓上制作不同規格的産品;這些晶圓必須通過芯片允收測試,晶粒将會一一經過針測(Probe)儀器以測試其電氣特性, 而不合格的的晶粒将會被标上記号(Ink Dot),此程序即 稱之為晶圓針測制程(Wafer Probe)。然後晶圓将依晶粒為單位分割成一粒粒獨立的晶粒,接着晶粒将依其電氣特性分類(Sort)并分入不同的倉(Die Bank),而不合格的晶粒将于下一個制程中丢棄。
三、IC構裝制程
IC構裝制程(Packaging)則是利用塑料或陶瓷包裝晶粒與配線以成集成電路(Integrated Circuit;簡稱IC),此制程的目的是為了制造出所生産的電路的保護層,避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。最後整個集成電路的周圍會向外拉出腳架(Pin),稱之為打線,作為與外界電路闆連接之用。
四、測試制程
半導體制造最後一個制程為測試,測試制程可分成初步測試與最終測試,其主要目的除了為保證顧客所要的貨無缺點外,也将依規格劃分IC的等級。在初步測試階段,包裝後的晶粒将會被置于各種環境下測試其電氣特性,例如消耗功率、速度、電壓容忍度...等。測試後的IC将會将會依其電氣特性劃分等級而置入不同的Bin中(此過程稱之為Bin Splits),最後因應顧客之需求規格,于相對應的Bin中取出部份IC做特殊的測試及燒機(Burn-In),此即為最終測試。最終測試的成品将被貼上規格卷标(Brand)并加以包裝而後交與顧客。未通過的測試的産品将被降級(Downgrading)或丢棄。